(氮化硅NEW)韩国产耐特高温氮化硅陶瓷敷铜基板—Si3N4 DBC_偶氮...

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韩国KIC公司原产氮化硅敷铜基板 Si3N4 DBC      韩国KIC公司是韩国内家生产覆铜陶瓷基板DBC的专业工厂，先高纯硅和高纯氮在1300度左右制成氮化硅陶瓷，厚度为0.38毫米，俩面铜膜厚度固定为300um, 陶瓷和铜在高温1100度左右再次烧结完成，制成无空洞的耐高温的氮化硅DBC。该氮化硅陶瓷敷铜DBC与其他氮化铝DBC相比，耐高温更强，陶瓷硬度更大，熔点高，氮化硅陶瓷是一种新型的耐高温耐研磨的材料。氮化硅DBC主要用于航空制造业和航天器及军事发射器等等高的领域里。从2010年开始， 香港华赛美电子集团有限公司董事长张博士从韩国留学研究海归后，也在国内电力半导体模块行业广泛传播了KIC的DBC样品和技术。    我国出口欧盟的大功率聚光型太阳能电池模组（Solar Concentric Photovoltainc Receiver-简称CPV），和航天工业和军事工业的核心技术是在半导体芯片下焊接有良好耐高温1200度和导热并有很强绝缘能力的氮化硅基板-DBC（Direct Copper Bonding）衬底。氮化硅DBC上面的0.3毫米厚的铜层可以刻蚀出半导体芯片之间需要的电路连接的图形。DBC下面有厚度为0.3的铜层与模块的散热底座焊接连接。通过氮化硅DBC，上面的半导体电路与底座外壳绝缘外，还将航天功率电子电路的大量热量通过高效导热的氮化硅陶瓷予以排除到模块外面的散热器Al-Si3C4基板上。   氮化硅DBC是专门为高聚光型太阳能电池（HCPV） 模块和军用厚膜DC-DC模块设计开发的。中间的氮化硅陶瓷厚度很薄为0.38mm的基板，铜层为厚度0.3mm的99.99%的无氧铜。采用化学镀技术在铜表面镀镍7微米，增加导电和可焊性。按照设计要求，为了增加热循环次数高于1000次的需要，在铜的边缘部分设置刻蚀直径为0.6间距为0.8毫米的有2/3铜厚度的深度为0.2-0.3毫米的密集的峰窩（dimple）状, 减轻了氧化铝DBC边缘的热应力集中。也在芯片以外区域设置绿油的阻焊层（PSR），即阻止芯片以外的焊料的外泄。     DBC工厂在韩国全州的KIC为世界性的电子陶瓷先进企业。交货期很短为3周。     氮化硅陶瓷敷铜基板（DBC）的主要应用客户群： - 大功率电力电子模块3300V-6.5KV IGBT模块- 高聚光型太阳能电池模组 （HCPV）- 功率军用混合厚膜电路模块- 半导体水冷凝器及大功率电阻器-电动 汽车电子（AUTO-E）模块- 航空及军用电子AC-DC， DC-DC变换模块-航天用新型芯片倒装的电力电子积木模块（PEBB） 

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